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干货放送,当MOS管遇上米勒电容该如何应对?

文章作者:飞虹半导体 浏览量:1119 类型:行业资讯 日期:2017-09-09 11:37:01 分享:

米勒效应是三极管工作中常见的一种作用现象,然而,MOS管中由于门极和漏极间存在米勒电容,则会影响整体的开启时间。

那么问题来了:遇到这种情况,在栅极和源极间并联一个小电容有没有效果?在什么情况下才考虑米勒电容?米勒电容影响的时间怎么计算?就让专业半导体厂家告诉你,遇到米勒效应电容时你应该怎么处理。

半导体厂家——飞虹为您介绍,米勒电容不是个实在存在MOSFET中的电容,它是由MOSFET棚漏极间的电容反映到输入(即棚源间)的等效电容。由米勒定理可知,这个等效电容比棚漏间的实际电容要大许多,随增益变化,而由该效应所形成的等效电容称为米勒电容。由此可见,在棚源极间并一个电容无助于减小米勒电容,反之更会降低MOSFET的开启速度,增加开通关断时间。




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所以,正确的处理方式是在关断感性负载时,如果驱动电路内阻不够小,可以在MOS的GS间并联一个适当的电容,而不是并联一个越小越好的电容。这样做可以防止关断时因米勒电容影响出现的漏极电压塌陷。


至于遇到了MOS管米勒效应电容后如何计算的问题,工程师们可以查询数据手册中的Cgd,然后根据具体电路的电压增益计算。一般情况下,功率MOS管往往给出一定条件下管子开通所需要的电量和充电曲线,可以作为驱动设计的参考。


综上所诉,工程师在进行测试的过程中,一旦遇到米勒效应电容问题,首先要依据查询数据手册进行计算,在估算出电容数值后选取适当电容进行电路系统修改调整。除此之外,依据米勒定理进行合理运用,也是能够帮助工程师读懂波纹并找出问题的关键所在。广州飞虹,主要研发、生产、经营:场效应管、三极管等半导体器件,更多关于半导体资讯和合作,敬请关注联系我们。


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