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你不得不知道的MOS管选择四大法则

文章作者:飞虹半导体 浏览量:1040 类型:行业资讯 日期:2017-09-29 15:35:30 分享:

MOS管,它在电路中是常用到的,因而我们对于它的选取是要重视的。正确选择MOS管是硬件工程师经常遇到的问题,更是很重要的一个环节,MOS管选择不好,有可能影响到整个电路的效率和成本,下面有半导体厂家—飞虹为您总结出如何正确选取MOS管的四大法则。





法则之一:用N沟道orP沟道

选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。


法则之二:确定MOS管的额定电流

该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOS管处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流,只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。


法则之三:选择MOS管的下一步是系统的散热要求

须考虑两种不同的情况,即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效。


法则之四:选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能

影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低,器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗,要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。


MOS的选择很重要,关系到日后整个电路工作的运行。广州飞虹主要研发、生产、经营:场效应管、三极管等半导体器件,更多关于半导体知识,欢迎继续关注我们。

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