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Mos管的栅极不能浮空，这样的错误你犯了吗？

文章作者：飞虹半导体浏览量：5474 类型：行业资讯日期：2017-11-17 11:19:25 分享：

MOS管经常用于电路的开关控制，通过改变栅极(gate)的电压来使漏级(drain)和源级(source)导通或截断。但是mos管的栅极不能浮空你知道吗？今天半导体厂家—广州飞虹通过下面的电路图为大家分析一下为什么不可以浮空的原因～

广州飞虹MOS管厂家

Vg输入高时，N管会导通，使得P管的栅极为低，P管的DS导通。

一次发现奇怪的现象，Vg为高阻态时，Vout输入不定，检查发现P管的栅极电压变化不定。仔细检查发现R2虚焊，从而导致了N管的栅极浮空，把R2焊好，问题解决。

因此，MOS管的栅极不能浮空。P管应该有一个上拉电阻，对应的，N管应该有一个下拉电阻。只有这样，MOS管的整个运行才会正常，也不会带来不必要的麻烦。

广州飞虹MOS管厂家

广州飞虹半导体主要研发、生产、经营：场效应管、三极管等半导体器件，专注大功率MOS管制造15年，咨询热线： 400-831-6077。

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