欢迎来到 广州飞虹电子官网!18年专注大功率mos管生产经验咨询热线:400-831-6077

服务热线
400-831-6077
推荐文章
  • 10A电流场管6N40型号参数,应用在高压H桥PWM马达驱动
  • 封装 TO-220/TO-220F的场效应管:FHP740可用于300W/220V方波输出的逆变器后级电路!
  • 11N40场效应管参数以及代换型号,匹配300W/220V方波输出的逆变器后级电路使用
  • 10N40型号场效应管的替代型号,为300W/220V方波输出的逆变器后级电路保驾护航!
  • 0.55欧导通电阻IRF740型号场效应管替换型号,在高压H桥PWM马达驱动
  • 高压H桥PWM马达驱动常用型号除11N40场管外,还有MOS管FHP740!
  • 高压H桥PWM马达驱动应用FHP740型号,替代10N40场效应管!
  • DC-DC电源转换器MOS管型号:FHP740,替代IRF740参数场效应管!
  • 400V耐压MOS管替代11N40型号参数,使用在DC-DC电源转换器
  • 封装TO-220、TO-220F的飞虹MOS管:FHP740可适用于DC-DC电源转换器!
  • IRF740场效应管参数的替代型号,让DC-AC电源转换器稳定输出!
  • 11N40场效应管参数的替代型号,让DC-AC电源转换器稳定输出!
  • 可替代400V、10A参数在DC-AC电源转换器中使用的场效应管!
  • 1.5欧导通电阻IRF830B型号场效应管替换型号,在高压H桥PWM马达驱动
  • 高压H桥PWM马达驱动应用FHP830型号,替代5N50场效应管!
  • 应用于电源转化器的IRF830B参数场效应管,500V耐压更加安全稳定!
  • DC-DC电源转换器应用FHP830高耐压管型,代换5N50参数场效应管!
  • 500V高压场效应管替代IRF830型号在DC-AC电源转换器中使用!
  • 封装TO-220F/TO-251的场效应管:FHP830可用于DC-AC电源转换器!
  • IRF830B型号场效应管的替代型号,为150W逆变器后级电路保驾护航!
  • 10A电流场管6N40型号参数,应用在高压H桥PWM马达驱动
  • 封装 TO-220/TO-220F的场效应管:FHP740可用于300W/220V方波输出的逆变器后级电路!
  • 11N40场效应管参数以及代换型号,匹配300W/220V方波输出的逆变器后级电路使用
  • 10N40型号场效应管的替代型号,为300W/220V方波输出的逆变器后级电路保驾护航!
  • 0.55欧导通电阻IRF740型号场效应管替换型号,在高压H桥PWM马达驱动
  • 高压H桥PWM马达驱动常用型号除11N40场管外,还有MOS管FHP740!
  • 高压H桥PWM马达驱动应用FHP740型号,替代10N40场效应管!
  • DC-DC电源转换器MOS管型号:FHP740,替代IRF740参数场效应管!
  • 400V耐压MOS管替代11N40型号参数,使用在DC-DC电源转换器
  • 封装TO-220、TO-220F的飞虹MOS管:FHP740可适用于DC-DC电源转换器!
  • IRF740场效应管参数的替代型号,让DC-AC电源转换器稳定输出!
  • 11N40场效应管参数的替代型号,让DC-AC电源转换器稳定输出!
  • 可替代400V、10A参数在DC-AC电源转换器中使用的场效应管!
  • 1.5欧导通电阻IRF830B型号场效应管替换型号,在高压H桥PWM马达驱动
  • 高压H桥PWM马达驱动应用FHP830型号,替代5N50场效应管!
  • 应用于电源转化器的IRF830B参数场效应管,500V耐压更加安全稳定!
  • DC-DC电源转换器应用FHP830高耐压管型,代换5N50参数场效应管!
  • 500V高压场效应管替代IRF830型号在DC-AC电源转换器中使用!
  • 封装TO-220F/TO-251的场效应管:FHP830可用于DC-AC电源转换器!
  • IRF830B型号场效应管的替代型号,为150W逆变器后级电路保驾护航!
  • /hangyezixun/show/517.html
  • /hangyezixun/show/516.html
  • /hangyezixun/show/515.html
  • /hangyezixun/show/514.html
  • /hangyezixun/show/513.html
  • /hangyezixun/show/512.html
  • /hangyezixun/show/511.html
  • /hangyezixun/show/510.html
  • /hangyezixun/show/509.html
  • /hangyezixun/show/508.html
  • /hangyezixun/show/507.html
  • /hangyezixun/show/506.html
  • /hangyezixun/show/505.html
  • /hangyezixun/show/504.html
  • /hangyezixun/show/503.html
  • /hangyezixun/show/502.html
  • /hangyezixun/show/501.html
  • /hangyezixun/show/500.html
  • /hangyezixun/show/499.html
  • /hangyezixun/show/498.html

别错过,功率MOS管的五种损坏模式详解!

文章作者:广州飞虹 浏览量:1388 类型:行业资讯 日期:2018-04-08 12:09:11 分享:
  第一种:雪崩破坏

  如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。

  在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。

  典型电路:

MOS管雪崩破坏  

  第二种:器件发热损坏

  由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。

  直流功率原因:外加直流功率而导致的损耗引起的发热

  ●导通电阻RDS(on)损耗(高温时RDS(on)增大,导致一定电流下,功耗增加)

  ●由漏电流IDSS引起的损耗(和其他损耗相比极小)

  瞬态功率原因:外加单触发脉冲

  ●负载短路

  ●开关损耗(接通、断开) *(与温度和工作频率是相关的)

  ●内置二极管的trr损耗(上下桥臂短路损耗)(与温度和工作频率是相关的)

  器件正常运行时不发生的负载短路等引起的过电流,造成瞬时局部发热而导致破坏。另外,由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时,持续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的破坏。

  大功率MOS管器件发热损坏

  第三种:内置二极管破坏

  在DS端间构成的寄生二极管运行时,由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行,

  导致此二极管破坏的模式。

  内置二极管破坏

  第四种:由寄生振荡导致的破坏

  此破坏方式在并联时尤其容易发生

  在并联功率MOS FET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极-源极电压时,在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。当谐振条件(ωL=1/ωC)成立时,在栅极-源极间外加远远大于驱动电压Vgs(in)的振动电压,由于超出栅极-源极间额定电压导致栅极破坏,或者接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压通过栅极-漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈,因此可能会由于误动作引起振荡破坏。

  由寄生振荡导致的破坏

  第五种:栅极电涌、静电破坏

  主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏,即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端(包括安装和和测定设备的带电)而导致的栅极破坏。

  MOS管栅极电涌、静电破坏

  广州飞虹主要研发、生产、经营:场效应管、三极管等半导体器件,专注大功率MOS管制造15年,咨询热线: 400-831-6077。

  感谢您的阅读,更多关于半导体相关知识,欢迎继续关注和留意我们。
推荐产品