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电源适配器开关选用MOS10N60,比三极管常用原因所在

文章作者:飞虹电子 浏览量:5253 类型:行业资讯 日期:2018-10-31 18:55:47 分享:

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的



电源适配器开关选用MOS10N60,MOS管比三极管常用原因所在



开关三极管(Switch transistor)的外形与普通三极管外形相同,它工作于截止区和饱和区,相当于电路的切断和导通。由于它具有完成断路和接通的作用,被广泛应用于各种开关电路中,如常用的开关电源电路、驱动电路、高频振荡电路、模数转换电路、脉冲电路及输出电路等


在开关电源的开关管中常用的是MOS管,那是因为


1、MOS管比三极管来说损耗更低,


2、MOS管为电压驱动型,有电压就能够导通


3、MOS管的温度控制特性(导热、发热)比三极管好


4、MOS管驱需要的动率小一个驱动信号可以控制大电源电流,方便。三极管需要需要几级推动电路,将控制电流逐步加大,也就是多级放大,常见的方式是达林顿电路,这样在设计电路时就很繁琐了,调试也费劲。


5、MOS管是电压控制器件,栅极电流极小,MOS管饱和导通时产生的压降低,耗散功率小,效率也更高


6、MOS管开关静态时漏电小,功耗小



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而飞虹设计的适配器方案中开关Q采用的是高压MOS,如2N60、4N60、7N60、8N60、10N60等。其中10N60为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。ID(A)= 10A,BVdss(V)= 600V, RDS(on) = 0.85Ω(max) @VGS = 10 V,低电荷、低反向传输电容开关速度快。广泛适用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。


以上内容为开关电源开关管MOS特性针对三极管来对比的,在众多开关电源开关管应用中,由于MOS特点比较好,因此普遍被应用。更多MOS型号详细信息可咨询飞虹。


广州飞虹MOS管厂家主要研发、生产、经营:场效应管、三极管等半导体器件,专注大功率MOS管制造15年。咨询热线:400-831-6077。

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