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15年MOS管制造专家,广州飞虹详解MOS管中的米勒电容效应

文章作者:飞虹电子 浏览量:2969 类型:行业资讯 日期:2018-11-23 10:55:40 分享:

随着电子科技技术的发展,MOS管被广泛应用于各个领域。对于行业人士来说,只要接触电子电路设计,就必然需要接触MOS管。而在MOS管的使用过程中,会出现一种常见的作用现象——米勒效应,它一般会出现在MOS管的开通器件之中。而且,在MOS管中,门极和漏极间还会存在米勒电容。



15年MOS管制造专家,广州飞虹详解MOS管中的米勒电容效应



那么,什么是米勒电容呢?米勒电容并非指存在MOS管中的电容,它是由MOSFET棚漏极间的电容反映到输入的等效电容。根据米勒定理可以得知,这个等效电容比棚漏间的实际电容要大许多,随增益变化,而由该效应所形成的等效电容称为米勒电容。


当遇到MOS管出现米勒电容,从而影响整体的开启时间时,有相关人士会考虑在栅极和源极间并联一个小电容。但根据米勒定力,在棚源极间并联一个电容对减小米勒电容于事无补,反之更会降低MOSFET的开启速度,增加开通关断时间。


因此,针对这一现象,我们应如何正确地处理呢?根据工程师的经验之谈,正确的处理方式是在关断感性负载时,如果驱动电路内阻不够小,可以在MOS的GS间并联一个适当的电容,而不是并联一个越小越好的电容。这样做可以防止关断时因米勒电容影响出现的漏极电压塌陷。


而在测试的过程中,一旦遇到米勒效应电容问题,首先要依据查询数据手册进行计算,在估算出电容数值后选取适当电容进行电路系统修改调整。



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