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参数简述 | 飞虹帮助厂商更好地选购MOS管

文章作者:飞虹电子 浏览量:1245 类型:行业资讯 日期:2018-12-11 11:40:18 分享:

厂商在选择MOS管时,需要考虑它的参数问题。在使用过程中,不同的产品需要使用不同参数的MOS管,这些参数大同小异,但又不能不注意。而在它的参数选择上,也只有经过双方的交流及反复确认才能决定下来。今天,MOS管厂家飞虹小编就为了帮助大家了解MOS管,分享下它的参数含义。



参数简述 | 飞虹帮助厂商更好地选购MOS管



BVdss是源漏击穿电压,在栅源短接,漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同,实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS,所以在使用的时候注意不要超过这个电压。在选购的时候需要注意的是,通常BVdss越大,沟道的电阻也大,所以不要选远远超过要求,不然功耗会浪费掉。Vds就是普通的源漏电压,通常用画在Ids-Vds图上。



低压MOS管



VGS 最大栅源电压


VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压,但是会随制造工艺的不同而改变,因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。


ID - 连续漏电流


ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下,管表面温度在25℃或者更高温度下,可允许的最大连续直流电流。该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数。实际上,漏电流和漏源电压的变化对栅电荷值影响比较小,而且栅电荷不随温度的变化。测试条件是规定好的。



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