30年MOS管厂家分享：场效应管对比三极管的优势（二）

其实MOS管和三极管是各有各的应用，且也能组合起来使用，如MOS管和三极管组合成各种放大电路及开关电路。但MOS管具备着三极管不可比拟的特性，能够取代三极管的大部分作用，而目前大规模的集成电路基本都是采用MOS管。上一篇文章分享了MOS管的一部分优秀性能，接下来30年MOS管厂家飞虹继续分享MOS管不同于三极管的性能。

一、输入阻抗与驱动功率

输入阻抗高，驱动功率小。由于栅源之间是二氧化硅（SiO2）绝缘层，栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻，一般达100MΩ左右，交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。由于输入阻抗高，对激励信号不会产生压降，有电压就可以驱动，所以驱动功率极小（灵敏度高）。一般的晶体三极管必需有基极电压Vb，再产生基极电流Ib，才能驱动集电极电流的产生。

二、开关速度

开关速度快。MOS管的开关速度和输入的容性特性的有很大关系，由于输入容性特性的存在，使开关的速度变慢，但是在作为开关运用时，mos场效应管可降低驱动电路内阻，加快开关速度（输入采用了后述的“灌流电路”驱动，加快了容性的充放电的时间）。

MOS管只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，mos场效应管影响开关速度的提高（目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K/S～150K/S,这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的）。

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