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MOS管作为开关动作滞后?灌流电路可以改善效果

文章作者:飞虹电子 浏览量:797 类型:行业资讯 日期:2019-01-12 14:00:18 分享:

在MOS管作为开关运用时,因为它的输入特性,可能会引起“开关”动作滞后,这就不能凸显出MOS管相对于三极管的优势。而为了改善MOS管作为开关的效果,有时候需要电路设计的设计师使用灌流电路来帮助MOS管发挥最佳的作用。飞虹MOS管厂家今天就跟大家讲讲吧。




MOS管作为开关动作滞后?灌流电路可以改善效果



灌流电路


灌流电路主要是针对MOS管在作为开关管运用时其容性的输入特性,引起“开”、“关”动作滞后而设置的电路,当MOS管作为其他用途;例如线性放大等应用,就没有必要设置灌流电路。


MOS管和普通晶体三极管相比,有诸多的优点,但是在作为大功率开关管应用时,由于MOS管具有的容性输入特性,MOS管的输入端,等于是一个小电容器,输入的开关激励信号,实际上是在对这个电容进行反复的充电、放电的过程,在充放电的过程中,使MOS管道导通和关闭产生了滞后,使“开”与“关”的过程变慢,这是开关元件不能允许的(功耗增加,烧坏开关管)。


压波形变成B的畸变波形,导致开关管不能正常开关工作而损坏,解决的方法就是,只要R足够的小,甚至没有阻值,激励信号能提供足够的电流,就能使等效电容迅速的充电、放电,这样MOS开关管就能迅速的“开”、“关”,保证了正常工作。由于激励信号是有内阻的,信号的激励电流也是有限度,在作为开关管的MOS管的输入部分,增加一个减少内阻、增加激励电流的“灌流电路”来解决此问题。


另一种灌流电路


灌流电路的另外一种形式,对于某些功率较小的开关电源上采用的MOS管往往采用了下图A的电路方式。



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图中 D为充电二极管,Q为放电三极管(PNP)。工作过程是这样,当激励方波正半周时,D导通,对MOS管输入端等效电容充电(此时Q截止),在当激励方波负半周时,D截止,Q导通,MOS管栅极S所充电荷,通过Q放电,MOS管完成“开”与“关”的动作,如上图B所示。此电路由激励信号直接“灌流”,激励信号源要求内阻较低。该电路一般应用在功率较小的开关电源上。



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