MOS管就是绝缘栅型场效应管。在使用过程中,很容易就会发现,MOS管不仅仅有P沟道与N沟道的区别。另外还有增强型与耗尽型的区别,而他们在使用过程所表现的状态都完全不一样。今天,具有35年半导体经验的MOS管厂家“飞虹”这就分享给大家。
首先先区分一下增强型与耗尽型的区别。当UGS=0时,漏源极之间没有导电沟道,UGS增大到开启电压时,漏源极之间才开始形成导电沟道,叫做增强型MOS管;当UGS=0时,漏源极之间有原始导电沟道,叫做耗尽型MOS管。
其实所谓的增强还是耗尽,主要是指MOS管内的反型层。如果在不通电情况下,反型层不存在,电压加到一定程度后,反型层才出现,这个就是增强。相反,如果反型层一开始就存在,随着电压强弱,反型层会出现增加或者衰减,这个就是耗尽。
增强型MOS管科学的原理是它通过“加厚”导电沟道的厚度来导通,栅极电压越低,则p型源、漏极的正离子就越靠近中间,n衬底的负离子就越远离栅极,MOS管厂家栅极电压达到一个值,叫阀值或坎压时,由p型游离出来的正离子连在一起,形成通道。
因此,容易理解,栅极电压必须低到一定程度才能导通,电压越低,通道越厚,导通电阻越小。由于电场的强度与距离平方成正比,因此,电场强到一定程度之后,电压下降引起的沟道加厚就不明显了,MOS管厂家也是因为n型负离子的“退让”是越来越难的。耗尽型的是事先做出一个导通层,用栅极来加厚或者减薄来控制源漏的导通。但这种管子一般不生产,在市面基本见不到。所以,大家平时说mos管,就默认是增强型的。
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