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N沟道沟槽工艺的FHP3205低压MOS管可更好的对电源进行过流保护!

文章作者:广州飞虹电子 浏览量:193 类型:行业资讯 日期:2019-08-30 17:34:38 分享:

电子产品的质量一直都是影响消费者选购的重要因素,所以不少电子厂家在宣传产品时也会重点突出其质量优势。而电源作为驱动电子产品运转的动力,除了供电会影响到到产品的运转,其自身的保护措施,如过流,过压,过热等都会影响到产品的正常使用。而场效应管作为组成电源设备的重要元器件,其质量也关系到电子的使用。150N06场效应管是目前电子行业使用得比较多的场效应管型号之一,但为了获得更好的竞争优势,不少电子厂家希望市场上能提供性价比更高的可替换150N06的场效应管。


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我们所说的电源过流保护,就是在输出短路或过载时对电源或负载进行保护,就目前而言对电源过流保护的形式有恒流型、恒功率型等,但其实这些限流设计最终效果的体现都离不开一款优质的场效应管,毕竟一款优质的场效应管是可以在一定程度上提高电源过流保护。所以,电子厂家要想在质量上获得更大的竞争优势,在原器材的采购上就需要认真 考察其参数性能,稳定性等方面与产品是否匹配,尤其是场效应管的选购上,可以先通过小范围试用观察结果。飞虹微电子的这个FHP3205低压MOS管,在性能稳定,参数方面与150N0场效应管相差无二,可以替换场效应管使用的。


这个FHP3205低压MOS管是N沟道沟槽工艺场效应管,适用于300W/12V输入的逆变器的前级电路。FHP3205低压MOS管除了可以替换150N06场效应管之外,还能替换行业通用的SKT55N100AT、IRF3205、FQP55N10、IRF1010E这几个型号的场效应管。


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FHP3205低压MOS管的封装形式主要为TO-220/TO-252/TO-263,脚位排列序为GDS,Vgs(±V)25,VTH(V)2-4,ID(A)130,BVdss(V)60,Rds(on)[mΩ](typ)5.5,Rds(on)[mΩ](max)8,而低内阻,大电流也是FHP3205场效应管的优势之一。


广州飞虹电子通过不断的研发新品,逐渐把MOS管产品的使用范围拓展到更多电子领域,希望为电子产品的生产厂家提供强有力的元器件保障。例如这款飞虹的FHP3205低压MOS管,不仅质优价廉,而且还能替代150N06场效应管。除提供免费试样外,飞虹可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。


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