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N沟道IGBT管——飞虹F25T135UAG场效应管的各项参数详情

文章作者:飞虹电子 浏览量:774 类型:行业资讯 日期:2019-12-06 15:27:13 分享:

随着现代人们生活节奏的加快以及生活质量的提高,对于食品的烹调也提出了更高的要求,因而出现了多功能的微波炉。微波炉是利用食物在微波场中吸收微波能量而使自身加热的烹饪器具,由电源、磁控管、控制电路和烹调腔等部分组成。微波炉中常用到的半导体零部件是IHW20N135R5场效应管。


作为微波炉中常用的半导体,IHW20N135R5场效应管却因价格过高而逐渐被国产半导体产品所替代。微波炉厂家通常用来替代IHW20N135R5场效应管的国产半导体是飞虹F25T135UAG场效应管。飞虹F25T135UAG mos管在性能与质量上和IHW20N135R5 mos管是一致的,但价格上却有很大优势。


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飞虹F25T135UAG mos管是N沟道IGBT管,具有两种封装形式,分别是TO-3PN和TO-247,脚位排列为G-C-E,应用于微波炉中,功率大、损耗少。其主要参数为Vge=30土V,Vth=5.0-6.5V,Ic=25A,BVce=1350V。


使用过飞虹F25T135UAG mos管的厂家表示飞虹 mos管可靠性高,一致性好,温升低,值得回购。飞虹F25T135UAG mos管具有低VCEsat、Trench-FS技术、软电流关断波形、1350V高击穿电压的高可靠性,是RoHS产品。除了应用于微波炉外,飞虹F25T135UAG mos管还可应用于电磁炉、谐振转换器、软开关应用等方面。


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广州飞虹电子通过不断的研发新品,逐渐把MOS管产品的使用范围拓展到更多电子领域,希望为电子产品的生产厂家提供强有力的元器件保障。例如这款飞虹FHA25T135UAG mos管,不仅质优价廉,而且还能替代IHW20N135R3场效应管。除提供免费试样外,飞虹可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。


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