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IRFZ44N型号场效应管的替代型号,为100W-12V输入的逆变器保驾护航!

文章作者:飞虹电子 浏览量:116 类型:行业资讯 日期:2021-01-21 16:22:50 分享:
    不少经济学家预测今年制造业将会是拉动经济增长的第二马车,制造业的需求增大,应用广泛的场效应管需求也会被拉大,在市场需求极大的情况下,寻找一家稳定的场效应管供应商,就显得尤其重要!

    就拿100W-12V输入的逆变器 来说,常见使用的一款国外管型是IRFZ44N,那除了这一块在国内能否找到一款能完美替代的型号呢?

逆变器替代IRFZ44N场效应管

    实际上是有的,据了解目前市场上面有飞虹的一款型号为:FHP50N06是能够直接替换国外的这一款IRFZ44N的MOS来使用在100W-12V输入的逆变器 。

    目前这款FHP50N06为N沟道沟槽工艺MOS管,它在使用方面不仅能匹配型号为IRFZ44N的国外场效应管,还能代用STP60NF06、FQP50N06型号的场效应管。目前广泛使用的场景是100W-12V输入的逆变器、电机调速电路两款产品中。

100W-12V逆变器IRFZ44Nmos管

    FHP50N06场效应管的特点是50A,60V, RDS(on) = 12mΩ(typ)@VGS=10V开关速度快。FHP50N06的主要封装形式是 TO-220/ TO-252/TO-263 ,脚位排列位GDS。

    这款场效应管参数:Vgs(±V):25;VTH(V):2-4;ID(A):50;BVdss(V):60。因此说这款封装为TO-220/ TO-252/TO-263的FHP50N06是能够与IRFZ44N完美对标的。

低压替代IRFZ44N型号场效应管

    飞虹产品已经在开关电源、逆变器、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器获得广泛应用,帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。作为一家高新技术企业,飞虹自2008年至今,共获得实用专利及发明15项,并与中山大学、中科院合作研发GaN器件。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

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