-
当前位置:
首页
- >
资讯中心
- >
行业资讯
- >
替换AON6224型号参数在USB PD 快充电源应用MOS管:FHN60N1F10LA!
替换AON6224型号参数在USB PD 快充电源应用MOS管:FHN60N1F10LA!
文章作者:飞虹电子
浏览量:1745
类型:行业资讯
日期:2022-02-11 17:35:53
分享:
消费电子市场持续火爆,不断在拉动快充的需求。伴随快充的兴旺发展,对于MOS管的需求也是同步增长起来的。毕竟整流同步的MOS管能够保证USB PD 快充电源的用电安全,面对一款AON6224参数的管型,国内有替换的场效应管吗?
MOS管作为在国内发展已经算比较久的产业,已经有比较成熟的替换管型可使用了。在国内可用FHN60N1F10L场效应管直接替换AON6224型号MOS管参数使用。
除了能替代AON6224外,还能替换VSP014N10MS、ZMS100N10N等型号参数的场效应管。为什么是FHN60N1F10L场效应管呢?
因为FHN60N1F10LA型号MOS管,目前在国内能比较好的持续供应,毕竟现在MOS管的产能还是蛮欠缺的,除考虑产品优质外,更要考虑产能稳定可持续供应。
况且它由国内已经专注研发19年的MOS管厂家生产。它良好稳定性决定能够很好的帮助USB PD 快充电源提升稳定,从而保障用电安全。
MOS管的替代替换核心要关注参数性能,究竟FHN60N1F10LA国产场效应管为什么说能比较好的替换AON6224型号参数在USB PD 快充电源中使用?
来看看飞虹这款FHN60N1F10LA的具体产品参数,具有60A、100V的电流、电压,RDS(on) = 10mΩtyp) ,最高栅源电压@VGS =±20 V,AON6224替代mos管100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS热阻测试,一致性高,高可靠性,开关速度快,极低的导通内阻RDS(on),优秀的品质因子FOM(RDS(on)*Qg),AON6224替代mos管损耗低。
60N1F10的封装形式会有PDFN5×6。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):1.2-2.4;ID(A):60A;BVdss(V):100V。
最大脉冲漏极电流(IDM ):240(A)、静态导通电阻(typ):10mΩ/12.5mΩ、反向传输电容:11pF。
在国产化的场效应管替换使用过程中,飞虹国产型号:FHN60N1F10LA型号参数来替换AON6224型号。它采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg),可实现快速硬开关和有效提高了转换效率,PDFN5×6-8L封装产品广泛应用于AC/DC和 USB PD快充适配器电源和DC/DC转换器的二次侧同步整流,BLDC电机驱动等;在使用方面是匹配型号AON6224、VSP014N10MS、ZMS100N10N的场效应管。
100V、60A 的MOS管替换使用,选对型号很重要。飞虹半导体的这款FHN60N1F10LA MOS管已经广泛应用于USB PD 快充电源、DC/DC转换器、BLDC电机驱动中。目前飞虹为国内的电子产品厂家提供优质产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹电子”即可找到我们,免费试样热线:400-831-6077。
热门标签:AON6224替代mos管