-
当前位置:
首页
- >
资讯中心
- >
行业资讯
- >
PD快充电源适配器的国产MOS管:60N1F10LA可替换ZMS100N10N的型号参数!
PD快充电源适配器的国产MOS管:60N1F10LA可替换ZMS100N10N的型号参数!
文章作者:飞虹电子
浏览量:2100
类型:行业资讯
日期:2022-02-11 17:44:01
分享:
能为PD快充电源适配器厂家持续稳定供应性能优质的MOS管,并且其能够匹配ZMS100N10N场效应管的型号参数在PD快充电源适配器电路中使用的MOS管会有哪一款呢?
此处点名飞虹电子研发的一款MOS管产品目前在市场上可替换ZMS100N10N、AON6224、VSP014N10MS这几款型号用于PD快充电源适配器。
它就是飞虹的60N1F10LA场效应管型号。为何说它是能够适用于PD快充电源适配器电路使用的优质国产MOS管呢?这一切都需要从其具体参数来看。
飞虹这款FHN60N1F10LA作为N 沟道增强型场效应晶体管,其产品参数:具有60A、100V的电流、电压,RDS(on) = 10mΩtyp) ,最高栅源电压@VGS =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS热阻测试,一致性高,高可靠性,开关速度快,极低的导通内阻RDS(on),ZMS100N10N替代型号优秀的品质因子FOM(RDS(on)*Qg),损耗低。
60N1F10的封装形式会有PDFN5×6。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):1.2-2.4;ID(A):60A;BVdss(V):100V。
最大脉冲漏极电流(IDM ):240(A)、静态导通电阻(typ):10mΩ/12.5mΩ、反向传输电容:11pF。
在国产化的场效应管替换使用过程中,飞虹国产型号:FHN60N1F10LA型号参数来替换AON6224型号。它采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg),可实现快速硬开关和有效提高了转换效率,PDFN5×6-8L封装产品广泛应用于AC/DC和 USB PD快充适配器电源和DC/DC转换器的二次侧同步整流,BLDC电机驱动等;在使用方面是匹配型号ZMS100N10N、AON6224、VSP014N10MS的场效应管。
针对PD快充电源适配器想提升其用电安全性,ZMS100N10N替代型号选择国产化的场效应管替换使用过程中,我们更推荐使用优质的飞虹国产型号:FHN60N1F10LA型号参数来替换ZMS100N10N型号。
在国产化的场效应管替换使用过程中,FHN60N1F10LA型号参数还可替换ZMS100N10N、AON6224、VSP014N10MS型号在不同的产品电路中使用。
除参数适合外,飞虹的工程师还会提供优质的产品测试服务。飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售,给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有33年半导体行业经验以及18年研发、制造经验。除可提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。
直接百度输入“飞虹MOS管厂家”即可找到我们,免费试样热线:400-831-6077。
热门标签:ZMS100N10N替代型号