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新技术的挑战,如何根据参数选择MOS管?

文章作者:飞虹电子 浏览量:1656 类型:行业资讯 日期:2018-08-23 15:28:34 分享:

近年来,随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等大量应用MOSFET产品的行业在近几年来得到了快速的发展,功率MOSFET更是备受关注。技术一直在进步,功率MOSFET市场逐渐受到了新技术的挑战。例如,业内有不少公司已经开始研发GaN功率器件,不过,GaN 对功率MOSFET市场的挑战还处于非常初期的阶段,MOSFET在技术成熟度、供应量等方面仍然占据明显的优势,经过三十多年的发展,MOSFET市场 也不会轻易被新技术迅速替代,MOSFET仍会占据主导的位置。



新技术的挑战,如何根据参数选择MOS管?



MOSFET也是众多刚入行的工程师都会接触到的器件,作为电气系统中的基本部件,工程师如何根据参数做出正确选择呢?


MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道。为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中,当一个MOSFET接地,而负载连接到干线电压上时,该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到 总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET,这也是出于对电压驱动的考虑。


例如:在开关电源应用中,DC-DC电源中常用的基本降压转换器依靠两个MOSFET来执行开关功能,开关电源中第二重要的MOSFET参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。



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电压和电流的选择。必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS.设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机 或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。


对便携式设计来说,采用较低的电压比较容易,而对于工业设计,可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。


最后就是散热要求了,设计人员必须考虑两种不同的情况,即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能 确保系统不会失效。



三极管型号生产哪家好找飞虹半导体



MOSFET的应用领域非常广泛,远非一两篇文章可以概括。专业的产品还得专业的人来做,不了解怎么选择型号的可以咨询飞虹哦。


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