新技术的挑战，如何根据参数选择MOS管？

近年来，随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等大量应用MOSFET产品的行业在近几年来得到了快速的发展，功率MOSFET更是备受关注。技术一直在进步，功率MOSFET市场逐渐受到了新技术的挑战。例如，业内有不少公司已经开始研发GaN功率器件，不过，GaN 对功率MOSFET市场的挑战还处于非常初期的阶段，MOSFET在技术成熟度、供应量等方面仍然占据明显的优势，经过三十多年的发展，MOSFET市场 也不会轻易被新技术迅速替代，MOSFET仍会占据主导的位置。

MOSFET也是众多刚入行的工程师都会接触到的器件，作为电气系统中的基本部件，工程师如何根据参数做出正确选择呢？

MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到 总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET,这也是出于对电压驱动的考虑。

例如：在开关电源应用中，DC-DC电源中常用的基本降压转换器依靠两个MOSFET来执行开关功能，开关电源中第二重要的MOSFET参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。

电压和电流的选择。必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS.设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机 或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。

对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。

最后就是散热要求了，设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能 确保系统不会失效。

MOSFET的应用领域非常广泛，远非一两篇文章可以概括。专业的产品还得专业的人来做，不了解怎么选择型号的可以咨询飞虹哦。

广州飞虹主要研发、生产、经营：场效应管、三极管等半导体器件，专注大功率MOS管制造15年，咨询热线： 400-831-6077。