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FHP3205低压MOS管可保护电路替代IRF1010E场效应管使用

文章作者:广州飞虹电子 浏览量:229 类型:行业资讯 日期:2019-08-31 17:59:26 分享:

物质生活的的提升,也让压力越来越的现代人开始追求精神上的满足,传播音乐的各类音箱、音响成为越来越多人的选择。而面对愈加激烈的市场竞争,不少音箱厂家都纷纷亮出自己的产品优势以吸引消费者,其中最突出的就是产品的价格和质量优势了。IRF1010E场效应管是目前音箱厂家生产时使用得比较多的场效应管型号之一,但是为了获得更大的竞争优势,不少音箱厂家也是不断物色可替换IRF1010E的使用的场效应管。


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电器的逆变器前级电路所采用的场效应管的质量几乎都会影响到逆变器的转换效率、安全性能、物理性能、带负载适应性和稳定性等,而这些都会影响到音箱是否可以正常使用,使用体验等。再者场效应管在整个音箱中最大的中的作用就是保护前级电路,控制电流大小;避免电流过大,引起电路损坏导致整个音箱故障。所以音箱厂家在元器件采购之初就需要实验打算采购的场效应管的参数、性能、稳定性等与产品是否匹配,能否实现产品在市场的竞争优势等。飞虹微电子研发的这个FHP3205低压MOS管在转换效率、安全性能等方面都是可以替换IRF1010E场效应管使用的。


飞虹的这个FHP3205低压场效应管是N沟道沟槽工艺MOS管,主要适用于300W/12V输入的逆变器的前级电路。FHP3205低压MOS管除了可以替换IRF1010E场效应管之外,还能替换行业上的SKT55N100AT、150N06、IRF3205、FQP55N10这几个型号的场效应管使用。


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FHP3205低压MOS管的封装形式主要有TO-220/TO-252/TO-263,脚位排列序为GDS,Vgs(±V)25,VTH(V)2-4,ID(A)130,BVdss(V)60,Rds(on)[mΩ](typ)5.5,Rds(on)[mΩ](max)8,且FHP3205场效应管最大的优势就是可实现低内阻,大电流。


广州飞虹电子通过不断的研发新品,逐渐把MOS管产品的使用范围拓展到更多电子领域,希望为电子产品的生产厂家提供强有力的元器件保障。例如这款飞虹的FHP3205低压MOS管,不仅质优价廉,而且还能替代IRF1010E场效应管。除提供免费试样外,飞虹可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。


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